大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应(yī秋以为期句式特点，秋以为期句式判断ng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内国(秋以为期句式特点，秋以为期句式判断guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)秋以为期句式特点，秋以为期句式判断游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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