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　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gō不朽的意思ng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等国际(jì)存(cún)储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在不朽的意思存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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