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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn天兵天将指哪个生肖，天兵天将指哪个生肖的动物)品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照天兵天将指哪个生肖，天兵天将指哪个生肖的动物《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(é天兵天将指哪个生肖，天兵天将指哪个生肖的动物r)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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