大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公区别词和形容词的异同举例，区别词和形容词的异同点司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防(fáng)范产品(pǐn)网区别词和形容词的异同举例，区别词和形容词的异同点(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下(xià)游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

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