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断联一个月男人心理状态,男的断联半个月的心理 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

  美光公司在华销售的产断联一个月男人心理状态,男的断联半个月的心理品未通过网络安全审查(chá)

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

  审(shěn)查发现,美光公(gōng)司产品存在较严(yá断联一个月男人心理状态,男的断联半个月的心理n)重网络安全问(wèn)题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn),影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规,我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

  此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查(chá),目(mù)的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全,是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放,只要(yào)遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称,为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安(ān)全,防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险,维护国(guó)家(jiā)安(ān)全,依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》,网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》,对美光(guāng)公司(Micron)在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

  半导体突(tū)发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美(měi)光(guāng)是美(měi)国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头,也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年(nián)收入(rù)来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM (内(nèi)存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

  美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著下降,至少已经不(bù)是主要大供应商。

  公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示, 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示,江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市(shì)场的供应优势,公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果美光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì),或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽,催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露,薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75%。自(zì)长江存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名(míng)单,设备国产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相关公司(sī)份额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收(shōu)入(rù)增长。

 

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