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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年Medical staff可数吗，stuff三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAMedical staff可数吗，stuffM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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