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　　美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎ初一地理口诀顺口溜，怎样分东西半球最简单的方法n)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 20初一地理口诀顺口溜，怎样分东西半球最简单的方法21年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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