大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年双修是指什么意思，双修是怎么进行的收入来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D N双修是指什么意思，双修是怎么进行的AND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的(de)华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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