大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家(jiā每走一步就会深深的撞一下，抱着走一下就撞一下)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果每走一步就会深深的撞一下，抱着走一下就撞一下美光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长。

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